型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHW30N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 29A, TO-247AD-358295+¥23.500650+¥22.4963200+¥21.9339500+¥21.79331000+¥21.65272500+¥21.49205000+¥21.39167500+¥21.2912
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP33N60EF-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-220AB-350145+¥24.733850+¥23.6768200+¥23.0849500+¥22.93691000+¥22.78892500+¥22.61985000+¥22.51417500+¥22.4084
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP33N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-220AB-318225+¥22.302550+¥21.3494200+¥20.8157500+¥20.68231000+¥20.54882500+¥20.39635000+¥20.30107500+¥20.2057
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB24N65E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V91745+¥21.595950+¥20.6730200+¥20.1561500+¥20.02691000+¥19.89772500+¥19.75015000+¥19.65787500+¥19.5655
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品类: 中高压MOS管描述: 600 V功率MOSFET 600 V Power mosfets78355+¥15.890950+¥15.2118200+¥14.8315500+¥14.73651000+¥14.64142500+¥14.53275000+¥14.46487500+¥14.3969
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHF12N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V952310+¥8.1888100+¥7.7794500+¥7.50641000+¥7.49282000+¥7.43825000+¥7.36997500+¥7.315310000+¥7.2880
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB6N65E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V545110+¥10.0464100+¥9.5441500+¥9.20921000+¥9.19252000+¥9.12555000+¥9.04187500+¥8.974810000+¥8.9413
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHD7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V773110+¥11.2500100+¥10.6875500+¥10.31251000+¥10.29382000+¥10.21885000+¥10.12507500+¥10.050010000+¥10.0125
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor962510+¥11.6424100+¥11.0603500+¥10.67221000+¥10.65282000+¥10.57525000+¥10.47827500+¥10.400510000+¥10.3617
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB12N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12A, TO-263-3788610+¥7.0980100+¥6.7431500+¥6.50651000+¥6.49472000+¥6.44745000+¥6.38827500+¥6.340910000+¥6.3172
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB23N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V81235+¥12.999950+¥12.4443200+¥12.1332500+¥12.05541000+¥11.97772500+¥11.88885000+¥11.83327500+¥11.7777
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFPC60PBF 场效应管, MOSFET, N沟道47575+¥15.928450+¥15.2477200+¥14.8665500+¥14.77121000+¥14.67592500+¥14.56705000+¥14.49897500+¥14.4308
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V833010+¥7.9944100+¥7.5947500+¥7.32821000+¥7.31492000+¥7.26165000+¥7.19507500+¥7.141710000+¥7.1150
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHD6N62E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 620 V, 0.78 ohm, 10 V70965+¥5.316325+¥4.922550+¥4.6468100+¥4.5287500+¥4.44992500+¥4.35155000+¥4.312110000+¥4.2530
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFBC40SPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V 新21215+¥14.195650+¥13.5890200+¥13.2492500+¥13.16431000+¥13.07942500+¥12.98235000+¥12.92167500+¥12.8610
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品类: N沟道MOS管描述: DIODES INC. ZXMN10A08E6 MOSFET Transistor, N Channel, 1.5A, 100V, 400mohm, 10V, 2V9159
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB33N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-263-322995+¥22.445350+¥21.4861200+¥20.9489500+¥20.81461000+¥20.68042500+¥20.52695000+¥20.43107500+¥20.3350
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFPE50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 800 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V91645+¥14.401550+¥13.7861200+¥13.4414500+¥13.35531000+¥13.26912500+¥13.17065000+¥13.10917500+¥13.0475
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor58805+¥3.780025+¥3.500050+¥3.3040100+¥3.2200500+¥3.16402500+¥3.09405000+¥3.066010000+¥3.0240
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor46375+¥17.200250+¥16.4651200+¥16.0535500+¥15.95061000+¥15.84772500+¥15.73015000+¥15.65667500+¥15.5831
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品类: N沟道MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET26445+¥2.461125+¥2.278850+¥2.1511100+¥2.0965500+¥2.06002500+¥2.01445000+¥1.996210000+¥1.9688
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFPC50LCPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 2 V86415+¥21.483550+¥20.5654200+¥20.0513500+¥19.92281000+¥19.79422500+¥19.64735000+¥19.55557500+¥19.4637
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFIBF30GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道488710+¥7.9284100+¥7.5320500+¥7.26771000+¥7.25452000+¥7.20165000+¥7.13567500+¥7.082710000+¥7.0563